IXSH15N120BD1

آی جی بی تی - IXSH15N120BD1

برند: IXYS

گروه: نیمه هادی

زیرگروه: آی جی بی تی

مدل / برند: IXSH15N120BD1

موجودی: تماس بگیرید

دانلود فایل ضمیمه

کلمات کلیدی: IXSH15N120BD1

 

 

توضیحات:

Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W:

Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 1200V

Collector-emitter saturation voltage |Ucesat|, V: 3.4V

Maximum gate-emitter voltage |Ueg|, V:

Maximum collector current |Ic|, A: 30A

Maximum junction temperature (Tj), °C:

Rise time, nS: 150

Maximum collector capacity (Cc), pF:

Package: TO247

محصولات مشابه

#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#