IXEN60N120

آی جی بی تی - IXEN60N120

برند: IXYS

گروه: نیمه هادی

زیرگروه: آی جی بی تی

مدل / برند: IXEN60N120

موجودی: تماس بگیرید

دانلود فایل ضمیمه

کلمات کلیدی: IXEN60N120

 

 

توضیحات:

Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W:

Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 1200V

Collector-emitter saturation voltage |Ucesat|, V: 2.7V

Maximum gate-emitter voltage |Ueg|, V:

Maximum collector current |Ic|, A: 100A

Maximum junction temperature (Tj), °C:

Rise time, nS: 30

Maximum collector capacity (Cc), pF:

Package: SOT227B

محصولات مشابه

#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#