IXDR30N120D1

آی جی بی تی - IXDR30N120D1

برند: IXYS

گروه: نیمه هادی

زیرگروه: آی جی بی تی

مدل / برند: IXDR30N120D1

موجودی: تماس بگیرید

دانلود فایل ضمیمه

کلمات کلیدی: IXDR30N120D1

 

 

توضیحات:

Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W: Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 1200V Collector-emitter saturation voltage |Ucesat|, V: 2.9V Maximum gate-emitter voltage |Ueg|, V: Maximum collector current |Ic|, A: 50A Maximum junction temperature (Tj), °C: Rise time, nS: 70 Maximum collector capacity (Cc), pF: Package: ISOPLUS247

محصولات مشابه

#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#