IXDT30N120

آی جی بی تی - IXDT30N120

برند: IXYS

گروه: نیمه هادی

زیرگروه: آی جی بی تی

مدل / برند: IXDT30N120

موجودی: تماس بگیرید

دانلود فایل ضمیمه

کلمات کلیدی: IXDT30N120

 

 

توضیحات:

Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W: Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 1200V Collector-emitter saturation voltage |Ucesat|, V: Maximum gate-emitter voltage |Ueg|, V: Maximum collector current |Ic|, A: 60A Maximum junction temperature (Tj), °C: 150 Rise time, nS: 0 Maximum collector capacity (Cc), pF: Package: TO268

محصولات مشابه

#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#