آی جی بی تی - IXGX60N60C2D1

برند: IXYS

گروه: نیمه هادی

زیرگروه: آی جی بی تی

مدل / برند: IXGX60N60C2D1

موجودی: تماس بگیرید

دانلود فایل ضمیمه

کلمات کلیدی: IXGX60N60C2D1

 

 

توضیحات:

Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W: Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 600V Collector-emitter saturation voltage |Ucesat|, V: 2.5V Maximum gate-emitter voltage |Ueg|, V: Maximum collector current |Ic|, A: 75A Maximum junction temperature (Tj), °C: Rise time, nS: 35 Maximum collector capacity (Cc), pF: Package: PLUS247