IXGT30N60B2

آی جی بی تی - IXGT30N60B2

برند: IXYS

گروه: نیمه هادی

زیرگروه: آی جی بی تی

مدل / برند: IXGT30N60B2

موجودی: تماس بگیرید

دانلود فایل ضمیمه

کلمات کلیدی: IXGT30N60B2

 

 

توضیحات:

Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W: Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 600V Collector-emitter saturation voltage |Ucesat|, V: 1.8V Maximum gate-emitter voltage |Ueg|, V: Maximum collector current |Ic|, A: 70A Maximum junction temperature (Tj), °C: Rise time, nS: 82 Maximum collector capacity (Cc), pF: Package: TO268

محصولات مشابه

#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#