IXGH45N120

آی جی بی تی - IXGH45N120

برند: IXYS

گروه: نیمه هادی

زیرگروه: آی جی بی تی

مدل / برند: IXGH45N120

موجودی: تماس بگیرید

دانلود فایل ضمیمه

کلمات کلیدی: IXGH45N120 IGBT IGBT IGBT IGBT IGBT IXGH IXGH45 IXGH45N IXGH45N120 IXGH45N120 IXGH45N120 ای جی بی تی ای جی بی تی ای جی بی تی ای جی بی تی ساخت المان ای ایکس وای اس ای ایکس وای اس ولوم هرز گرد تریستور دیود ایجی بی تی پل دیود ترایاک ماژول تریستور ماژول دیود ماژول دیود تریستو

 

 

توضیحات:

Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W:

Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 1200V

Collector-emitter saturation voltage |Ucesat|, V: 2.5V

Maximum gate-emitter voltage |Ueg|, V:

Maximum collector current |Ic|, A: 75A

Maximum junction temperature (Tj), °C:

Rise time, nS: 390

Maximum collector capacity (Cc), pF:

Package: TO247

محصولات مشابه

#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#