IXDN75N120

آی جی بی تی - IXDN75N120

برند: IXYS

گروه: نیمه هادی

زیرگروه: آی جی بی تی

مدل / برند: IXDN75N120

موجودی: تماس بگیرید

دانلود فایل ضمیمه

کلمات کلیدی: IXDN75N120 IXDN IXDN IXDN75 IXDN75N IXDN75N120 IGBT IGBT IGBT IGBT ای جی بی تی ای جی بی تی ای جی بی تی مینی بلوک IXYS IXYS IXYS

 

 

توضیحات:

Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W:

Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 1200V

Collector-emitter saturation voltage |Ucesat|, V:

Maximum gate-emitter voltage |Ueg|, V:

Maximum collector current |Ic|, A: 120A

Maximum junction temperature (Tj), °C: 150

Rise time, nS: 0

Maximum collector capacity (Cc), pF:

Package: ISOTOP

محصولات مشابه

#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#