IXDN55N120D1

آی جی بی تی - IXDN55N120D1

برند: IXYS

گروه: نیمه هادی

زیرگروه: آی جی بی تی

مدل / برند: IXDN55N120D1

موجودی: تماس بگیرید

دانلود فایل ضمیمه

کلمات کلیدی: IXDN55N120D1-ای جی بی تی _ای جی بی تی _ای جی بی تی _ ixys ixys ixys --IXDN IXDN IXDN55 IXDN55n IXDN55N120 IXDN55N120D1 IXDN120D1-IXDN55N120D1+IXYS+IXYS+IXYS ای جی بی تی مینی بلوک_ای جی بی تی

 

 

توضیحات:

Type of IGBT channel: N-Channel

Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W:

Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 1200V

Collector-emitter saturation voltage |Ucesat|, V:

Maximum gate-emitter voltage |Ueg|, V:

Maximum collector current |Ic|, A: 85A

Maximum junction temperature (Tj), °C: 150

Rise time, nS: 0

Maximum collector capacity (Cc), pF:

Package: ISOTOP

محصولات مشابه

#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#